圖14. 14顯現(xiàn)近年來MOSFET的尺寸按比例減少的趨向．在20世紀70年代初期，柵極長度為7.5/μm其對應的器件面積大約為6000／μm2隨著器件的減少，器件面積也大幅度地減少．關于一個柵極長度為o．5J‘m的MOSFET而言，器件面積能夠減少至小于早MOSFET面積的1%．預期器件的減少化將會持續(xù)下去．在21世紀初，柵極長度將會小于o．10μm.我們將在14.5節(jié)討論器件的將來趨向．

基本工藝

圖14. 15顯現(xiàn)一個尚未停止最后金屬化工藝的n溝道MOS的透視圖．最上層為磷硅玻璃（摻雜磷的二氧化硅，P-glass），它通常用來作為多晶硅柵極與金屬連線間的絕緣體及町動離子的吸雜層( gettering layer).將圖14. 15與表示雙極型晶體管的圖14.7作比擬，可留意到在根本構(gòu)造方面MOSFET較為簡單．固然這兩種器件都運用橫向氧化層隔離，但MOSFFET不需求垂直隔離，而雙極型晶體管則需求一個埋層n+-p結(jié)．MOSFET的摻雜散布不像雙極型晶體管那般復雜，所以摻雜散布的控制也就不那么重要．我們將討論用來制造如圖14. 15所示器件的主要工藝步驟．

第一步制造一個n溝道MOSFET( NMOS)，其起始資料為p型、輕摻雜（約1015cm-3)晶向、拋光的硅晶片．<100>品向的晶片<111>晶向的晶片好，由于其界面圈套密度(interface trap density)大約是<111>晶向上的非常之．第—步工藝是應用LOCOS技術構(gòu)成氧化層隔離．這道工藝步驟與雙極型晶體管工藝相似，都是先長一層薄的熱氧化層作為墊層(約35nm)，接著淀積氮化硅(約150 nm)[圖14.16(a)．有源器件區(qū)域是應用抗蝕劑作為掩蔽層定義出的，然后經(jīng)過氮化硅—氧化層的組合物停止硼離子溝道阻斷注入[圖14，16(b)])．接著，刻蝕未被抗蝕劑掩蓋的氮化硅層，在剝除抗蝕劑之后，將晶片置入氧化爐管，在氮化硅被去除掉的區(qū)域長一氧化層(稱為場氧化層，field oxide)，同時也注入硼離子，場氧化層的厚度通常為o．5μm一1μm．

第二步是生長柵極氧化層及調(diào)整閾值電壓(threshold voltage)（參考6.2.3節(jié)），先去除在有源器件區(qū)域上的氮化硅—二氧化硅的組合物，然后長一層薄的柵極氧化層（小于10nm）．如圖14. 16(c)所示，對一個加強型n溝道的器件而言，注入硼離子到溝道區(qū)域來增加閾值電壓至一個預定的值（如+o．5V）．關于一個耗盡型n溝道器件而言，注入砷離子到溝道區(qū)域用以降低閾值電壓(如-o．5 V).

第三步是構(gòu)成柵極，先淀積一層多晶硅，再用磷的擴散或是離子注入，將多晶硅變?yōu)楦邼舛葥诫s，使其薄層電阻到達典型的20Ω／口一30Ω／口，這樣的阻值關于柵極長度大于3μm的MOSFET而言是恰當?shù)模顷P于更小尺寸的器件而言，多晶硅化物( polycide)可用來當作柵極資料以降低薄層電阻至l.Ω/口左右，多晶硅化物為金屬硅化物與多晶硅的組合物，常見的有鎢的多晶硅化物(Wpolycide).

第四步是構(gòu)成源極與漏極，在柵極圖形完成后[圖14. 16(d)，柵極可用作砷離子注入（約30keV，約5×1015m—。）構(gòu)成源極與漏極時的掩蔽層[圖14. 17(a)，因而源極與漏極對柵極而言也具有自對準的效果，所以獨一形成柵極—漏極堆疊( overlap)的要素是由于注入離子的橫向分布(lateral straggling)（關于30keV的砷，只要5nm）．假如在后續(xù)工藝步驟中運用低溫工藝將橫向擴散降至最低，則寄生柵極-漏極電容與柵極—源極耦合電容將可比柵極—溝道電容小很多．

最后一步是金屬化．先淀積磷硅玻璃(P-glass)于整片晶片上，接著經(jīng)過加熱晶片，使其活動以產(chǎn)生一個平整的外表[圖14.17(b)]．之后，在磷硅玻璃上定義和刻蝕出接觸窗，然后淀積一金屬層（如鋁）并定出圖形．完成后的MOSFET其截面如圖14. 17(c)所示．圖14.17（d)為對應的頂視圖，柵極的接觸通常被安頓在有源器件區(qū)域之外，以防止對薄柵極氧化層產(chǎn)生可能的傷害．

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