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      三極管與MOS管驅(qū)動(dòng)電路的正確用法介紹
      • 發(fā)布時(shí)間:2024-07-31 18:22:52
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      三極管與MOS管驅(qū)動(dòng)電路的正確用法介紹
      1 三極管和MOS管的基本特性
      三極管是電流控制電流器件,用基極電流的變化控制集電極電流的變化。 有NPN型三極管和PNP型三極管兩種,符號(hào)如下:
      三極管 MOS管 驅(qū)動(dòng)電路
      MOS管是電壓控制電流器件,用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。 有P溝道MOS管(簡(jiǎn)稱PMOS)和N溝道MOS管(簡(jiǎn)稱NMOS),符號(hào)如下(此處只討論常用的增強(qiáng)型MOS管):
      三極管 MOS管 驅(qū)動(dòng)電路
      2 三極管和MOS管的正確應(yīng)用
      (1)NPN型三極管
      適合射極接GND集電極接負(fù)載到VCC的情況。 只要基極電壓高于射極電壓(此處為GND)0.7V,即發(fā)射結(jié)正偏(VBE為正),NPN型三極管即可開(kāi)始導(dǎo)通。 基極用高電平驅(qū)動(dòng)NPN型三極管導(dǎo)通(低電平時(shí)不導(dǎo)通); 基極除限流電阻外,更優(yōu)的設(shè)計(jì)是,接下拉電阻10-20k到GND;
      優(yōu)點(diǎn)是:①使基極控制電平由高變低時(shí),基極能夠更快被拉低,NPN型三極管能夠更快更可靠地截止; ②系統(tǒng)剛上電時(shí),基極是確定的低電平。
      (2)PNP型三極管
      適合射極接VCC集電極接負(fù)載到GND的情況。 只要基極電壓低于射極電壓(此處為VCC)0.7V,即發(fā)射結(jié)反偏(VBE為負(fù)),PNP型三極管即可開(kāi)始導(dǎo)通。 基極用低電平驅(qū)動(dòng)PNP型三極管導(dǎo)通(高電平時(shí)不導(dǎo)通); 基極除限流電阻外,更優(yōu)的設(shè)計(jì)是,接上拉電阻10-20k到VCC;
      優(yōu)點(diǎn)是:①使基極控制電平由低變高時(shí),基極能夠更快被拉高,PNP型三極管能夠更快更可靠地截止; ②系統(tǒng)剛上電時(shí),基極是確定的高電平。
      三極管 MOS管 驅(qū)動(dòng)電路
      所以,如上所述:
      對(duì)NPN三極管來(lái)說(shuō),最優(yōu)的設(shè)計(jì)是,負(fù)載R12接在集電極和VCC之間。 不夠周到的設(shè)計(jì)是,負(fù)載R12接在射極和GND之間。
      對(duì)PNP三極管來(lái)說(shuō),最優(yōu)的設(shè)計(jì)是,負(fù)載R14接在集電極和GND之間。 不夠周到的設(shè)計(jì)是,負(fù)載R14接在發(fā)射極和VCC之間。 這樣,就可以避免負(fù)載的變化被耦合到控制端。 從電流的方向可以明顯看出。
      (3)PMOS
      適合源極接VCC漏極接負(fù)載到GND的情況。 只要柵極電壓低于源極電壓(此處為VCC)超過(guò)Vth(即Vgs超過(guò)-Vth),PMOS即可開(kāi)始導(dǎo)通。 柵極用低電平驅(qū)動(dòng)PMOS導(dǎo)通(高電平時(shí)不導(dǎo)通); 柵極除限流電阻外,更優(yōu)的設(shè)計(jì)是,接上拉電阻10-20k到VCC,使柵極控制電平由低變高時(shí),柵極能夠更快被拉高,PMOS能夠更快更可靠地截止。
      三極管 MOS管 驅(qū)動(dòng)電路
      (4)核磁阻
      適合源極接GND漏極接負(fù)載到VCC的情況。 只要柵極電壓高于源極電壓(此處為GND)超過(guò)Vth(即Vgs超過(guò)Vth),NMOS即可開(kāi)始導(dǎo)通。 柵極用高電平驅(qū)動(dòng)NMOS導(dǎo)通(低電平時(shí)不導(dǎo)通); 柵極除限流電阻外,更優(yōu)的設(shè)計(jì)是,接下拉電阻10-20k到GND,使柵極控制電平由高變低時(shí),柵極能夠更快被拉低,NMOS能夠更快更可靠地截止。
      所以,如上所述:
      對(duì)PMOS來(lái)說(shuō),最優(yōu)的設(shè)計(jì)是,負(fù)載R16接在漏極和GND之間。 不夠周到的設(shè)計(jì)是,負(fù)載R16接在源極和VCC之間。
      對(duì)NMOS來(lái)說(shuō),最優(yōu)的設(shè)計(jì)是,負(fù)載R18接在漏極和VCC之間。 不夠周到的設(shè)計(jì)是,負(fù)載R18接在源極和GND之間。
      3 設(shè)計(jì)原則
      為避免負(fù)載的變化被耦合到控制端(基極Ib或柵極Vgs)的精密邏輯器件(如MCU)中,負(fù)載應(yīng)接在集電極或漏極。
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