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mos管寄生電容測(cè)試特性分析
2019-08-15
mos管寄生電容寄生電容寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電
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MOS管邏輯電路-MOS管構(gòu)成的基本門(mén)邏輯電路
2019-08-15
MOS管,MOS管邏輯電路邏輯電路邏輯電路是一種離散信號(hào)的傳遞和處理，以二進(jìn)制為原理、實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號(hào)邏輯運(yùn)算和操作的電路。分組合邏輯電路和
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MOS管檢測(cè)步驟-大小功率MOS管詳細(xì)解析
2019-08-15
MOS管,大小功率MOS管MOS管MOS管，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之
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mos管直流特性和導(dǎo)通特性-JFET與MOS管直流特性分析對(duì)比
2019-08-14
mos管直流特性MOS管種類(lèi)與結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際應(yīng)用的只
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mos引腳圖-mos引腳是什么和引腳順序-如何判斷mos引腳好壞
2019-08-14
mos引腳圖說(shuō)明MOS管概念MOS管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬-絕緣體（insulator）-半
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功率因數(shù)校正(PFC)技術(shù)知識(shí)
2019-08-14
功率因數(shù)校正(PFC)技術(shù)知識(shí)什么是功率因數(shù)校正功率因數(shù)校正，功率因數(shù)指的是有效功率與總耗電量（視在功率）之間的關(guān)系，也就是有效功率除
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mos管的四種類(lèi)型區(qū)別是什么
2019-08-14
解析mos管的四種類(lèi)型-MOS管四種類(lèi)型有什么區(qū)別及聯(lián)系mos管的四種類(lèi)型mos管的四種類(lèi)型，與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相同，MOS管工作原理動(dòng)畫(huà)示意圖也有N
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MOSFET IGBT知識(shí)與區(qū)別-MOSFET與IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2019-08-14
MOSFET IGBT概述及區(qū)別-MOSFET和IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)分析本文主要介紹MOSFET和IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)，我們先簡(jiǎn)單的介紹一下MOSFE
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分析電容-電容的作用-電容單位-電容公式與檢測(cè)
2019-08-13
分析電容-電容的作用-電容單位-電容公式與檢測(cè)電容的簡(jiǎn)介電容器所帶電量Q與電容器兩極間的電壓U的比值，叫電容器的電容。在電路學(xué)里，給定
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分析開(kāi)關(guān)電源中光耦作用與光耦傳輸比(CTR)對(duì)開(kāi)關(guān)電源的影響
2019-08-13
分析開(kāi)關(guān)電源中光耦作用與光耦傳輸比(CTR)對(duì)開(kāi)關(guān)電源的影響光耦光耦合器亦稱(chēng)光電隔離器或光電耦合器，簡(jiǎn)稱(chēng)光耦。它是以光為媒介來(lái)傳輸電信
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分析開(kāi)關(guān)電源MOS管開(kāi)關(guān)損耗推導(dǎo)過(guò)程
2019-08-13
分析開(kāi)關(guān)電源MOS管開(kāi)關(guān)損耗推導(dǎo)過(guò)程開(kāi)關(guān)損耗是什么意思開(kāi)關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗
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快恢復(fù)二極管電路圖工作過(guò)程和原理分析-快恢復(fù)二極管的作
2019-08-13
快恢復(fù)二極管電路圖工作過(guò)程和原理分析-快恢復(fù)二極管的作用快恢復(fù)二極管介紹主要講快恢復(fù)二極管電路圖的一些應(yīng)用電路。快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)F